边连通简单图的独立数与上可嵌入性

文章讨论了边连通简单图的独立数与上可嵌入性的关系,得到了下列结果:(1)设G是一个k-边连通简 单图(k=1,2),若α(G)≤k,则G是上可嵌入的;(2)设G是一个3-边连通简单图,若α(G)≤5,则G是上可嵌入 的。     

当代批评与哲学意识的贫困

当前文学批评的缺陷在于"哲学意识"的贫困,这种贫困主要表现在:一是哲学观念的贫困,二是哲学思辨的贫困.     

40Cr钢表面纳米化的研究

采用高能表面处理技术在40Cr钢表面制备出具有纳米晶体结构特征的表面层.利用扫描电子显微镜和透射电子显微镜分析研究了表面纳米层的组织结构.结果表明,高能表面处理后40Cr钢表面形成纳米层的过程中,渗碳体先于铁素体纳米化.     

一类直径为3的2-连通图的最大亏格

用ξ(G)表示图G的Betti亏数，ζ(G)表示图G的衰变数，本文在文献[5]图的结构上增加点和边得到一类直径为3的2-连通类极图(即m=2n-5)．通过计算此类图的ξ(G’)和ζ(G’)的范围，得到了它们的最大亏格。     

与顶点C-划分有关的上可嵌入图类

图的顶点C-划分是指：G的顶点划分{V1，V2…，Vk}，使得每个G[Vi]为多重完全图(1≤i≤k)。结合图的顶点C-划分的条件，确定了一类点的度在modulo4下值为0或3的上可嵌入图类，综合已有结果，较完整地刻画了这类图的上可嵌入情况。     

水稻悬浮细胞系的建立

 对包括广亲和材料、恢复系、花培后代在内的30个水稻不同基因型的品种(系)在MS培养基中的培养能力进行了调查.根据出愈率的高低和愈伤组织培养能力,把它们分成Ⅰ,Ⅱ,Ⅲ3种类型.从Ⅰ类型中挑选CPSLO17和IR21820-154-3-2-2-8用N₆液体培养基进行液体培养,CPSLO17建立了悬浮细胞系,证实基因型的差异是决定建立良好悬浮细胞系的关键因素之一.此外还考察了低锌胁迫对水稻悬浮细胞系和幼胚愈伤分化率的影响.     

基于多电平变换器的广义大功率电流补偿器

用于输配电电网中的APF、ASVG、UPFC都必须具有大的功率等级，而二极管箝位变换器特别适合于大功率应用场合。采用了一种基于二极管箝位变换器的广义大功电流补偿器。理论和仿真表明这种电流补偿器可以分别或综合补偿多种有害电流。     

如何有效防范信用缺失问题

通过分析信用缺失的各种现象及产生原因,如法律责任轻、社会监管及约束薄弱、存在地方保护主义等,提出了建立信用体系、加强信用法律建设、增强防范意识等具体有效的防范措施.     

强激光作用下单晶硅的热畸变特性研究

高功率激光已经广泛应用于核聚变、激光加工、激光化学以及材料处理等领域.在强激光的辐照下,由于大量光子进入材料体内被吸收,局部蓄热,因而形成较大的温度场梯度.考虑到有限厚介质的表面热对流,利用格林函数方法理论计算了硅基板的三维温度分布和热变形,给出了硅基板温度分布和热变形跟基片半径和厚度的关系表示式以及关系曲线图.计算结果表明:温升不仅与介质的吸收系数密切相关,而且与对流换热系数有关.在激光照射的初始阶段,基片热变形量迅速增加;其后,随着激光照射时间的增加,热变形增加量逐步变缓.     

独立集中具有最小特定度和的点的上可嵌入图类(英)

结合边连通度，探讨了独立集中具有最小特定度和的点的上可嵌入图.得到了下列结果. (1)设G,是一个2-边连通简单图且满足条件:对任意一个G的3-独立集I, ∨x_i ,x_j ∈I (i,j = 1,2,3), d(x_i ,x_j)≧3 (1 ≦ i ≠ j ≦ 3) =>∑_{i = 1}³ d(x_i) ≧ v + 1(v = | V(G)|}), 则G是上可嵌入的;(2)设G是一个3-边连通简单图且满足条件:对任意一个G的6-独立集I, ∨x_i ,x_j ∈I (1≦i,j≦6), d(x_i,x_j) ≧3(1 ≦ i ≠ j ≦ 6) => ∑_{i = 1}⁶ d(x_i) ≧ v + 1(v = | V(G)|), 则G是上可嵌入的.